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  光刻(photoetching or lithography)是通过一系列生产步骤,将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺。在此之后,晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。通过光刻工艺过程,最终在晶圆上保留的是特征图形部分。
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  公司提供电子束光刻、步进式光刻、接触式光刻等光刻技术,线宽最小可达10nm,多种光刻结合的先进光刻理念,实现您不同尺寸的光刻需求。
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  电子束光刻:最小线宽50nm(成熟),适合在导电衬底、图形面积小的图形加工。
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  投影式光刻:stepper i7/i10/i12,最小线宽350nm,适合在标准圆片上有量加工。
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  接触、接近式光刻:MA6/BA6光刻机,最小线宽1um,适合正反套刻,衬底包容性高。
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